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局部放电检测仪检测缺陷部位和缺陷类型判断

发布时间:2022-11-17 浏览数:12

一、局部放电检测仪(也称为局部放电检测仪)缺陷部位判断依据

(1)多传感器定位

利用时延方法实现空间定位,在疑似故障部位利用多个传感器同时测量,并以信号首先到达的传感器作为触发信号源,就可以得到超声波从放电源至各个传感器的传播时间。再根据超声波在设备媒质中的传播速度和方向,就可以确定放电源的空间位置。

(2)单传感器定位

移动传感器,测试气室不同的部位,找到信号的大点,对应的位置即为缺陷点,通过两种方法判断缺陷在罐体或中心导体上。

方法一,通过调整测量频带的方法。将带通滤波器测量频率从100kHz减小到50kHz。如果信号幅值明显减小,则缺陷位置应在壳体上。信号水平基本不变,则缺陷位置应在中心导体上。

方法二,如果信号水平的大值在罐体表面周线方向的较大范围出现,则缺陷位置应在中心导体上。如果大值在一个特定点出现,则缺陷位置应在壳体上。

二、局部放电检测仪缺陷类型判断依据

(1)自由金属微粒

对于运行中的设备,微粒信号的幅值:背景噪声。

(2)电晕放电

毛刺一般在壳体上,但导体上的毛刺危害更大,只要信号高于背景值,都是有害的,应根据工况酌情处理,在耐压过程中发现毛刺放电现象,即便低于标准值,也应进行处理。

(3)悬浮电位

电位悬浮一般发生在断路器气室的屏蔽松动,PT/CT气室绝缘支撑松动或偏移,母线气室绝缘支撑松动或偏移,气室连接部位接插件偏离或螺栓松动等,设备内部只要形成了电位悬浮,就是危险的,应加强监测,有条件就应及时处理。对于126kV GIS,如果100Hz信号幅值远大于50Hz信号幅值,且Vpeak>10mV,应缩短检测周期并密切监测其增长量。如果Vpeak>20mV,应停电处理;对于363kV和550kV及以上设备,应提高标准。

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